भारत में सेमीकंडक्टर निर्माण को बड़ा बढ़ावा, ओडिशा सरकार, Intel और 3DGS के बीच हुआ समझौता
अश्विनी वैष्णव ने जानकारी दी है कि ओडिशा सरकार, Intel और 3DGS के बीच भारत में सबस्ट्रेट मैन्युफैक्चरिंग टेक्नोलॉजी लाने के लिए समझौता ज्ञापन (MoU) पर हस्ताक्षर किए गए हैं।
केंद्रीय मंत्री ने सोशल मीडिया प्लेटफॉर्म X पर इस समझौते का स्वागत करते हुए कहा कि इससे देश में सेमीकंडक्टर इकोसिस्टम को और मजबूती मिलेगी।
यह समझौता भारत में घरेलू चिप निर्माण क्षमता बढ़ाने और मजबूत इलेक्ट्रॉनिक्स सप्लाई चेन विकसित करने की दिशा में अहम कदम माना जा रहा है। सबस्ट्रेट मैन्युफैक्चरिंग सेमीकंडक्टर उद्योग का महत्वपूर्ण हिस्सा है, क्योंकि इसका उपयोग चिप्स को सपोर्ट और कनेक्ट करने में किया जाता है।
हाल ही में केंद्र सरकार ने इंडिया सेमीकंडक्टर मिशन (ISM) के तहत दो बड़े सेमीकंडक्टर प्रोजेक्ट्स को भी मंजूरी दी थी। इनमें गैलियम नाइट्राइड (GaN) तकनीक आधारित देश की पहली माइक्रो-LED डिस्प्ले यूनिट और गुजरात में सेमीकंडक्टर पैकेजिंग सुविधा शामिल है।
इन परियोजनाओं में करीब 3,936 करोड़ रुपये के निवेश का अनुमान है, जिससे 2,230 से अधिक कुशल युवाओं को रोजगार मिलने की उम्मीद है।
अश्विनी वैष्णव ने पहले बताया था कि 2026 तक भारत में चार सेमीकंडक्टर प्लांट तैयार हो जाएंगे, जबकि दो और प्लांट 2027 तक शुरू करने की योजना है। वहीं, गुजरात के धोलेरा में देश की पहली फैब्रिकेशन यूनिट 2028 तक चालू होने की संभावना जताई गई है।
